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  • YS32F1200I
    發表時間:2022-07-26     閱讀次數:

    內核: 32 位 ARM? Cortex? - M0+

    工作頻率: 48MHz

    flash 存儲器 : 64Kbytes

    SRAM存儲器: 8Kbytes

    工作電壓: 1.7V~5.5V

    工作溫度: -40~85℃

    封裝: LQFP32,QFN32,TSSOP20,QFN20

    簡介

    YS32F200I 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內核,寬電壓工作范圍的 MCU 。嵌入高 達 64Kbytes flash 和8Kbytes SRAM 存儲器,最高工作頻率 48MHz。包含多種不同封裝類型多款產品。芯片集 成多路 I2C 、SPI 、USART 等通訊外設,1 路 12bit ADC ,5 個 16bit 定時器,以及 2 路比較器。

    YS32F200I 系列微控制器的工作溫度范圍為-40℃~85℃,工作電壓范圍 1.7V~5.5V。芯片提供 sleep 和 stop 低功耗工作模式,可以滿足不同的低功耗應用。

    YS32F200I 系列微控制器適用于多種應用場景,例如控制器、手持設備、PC 外設、游戲和 GPS 平臺、工 業應用等。

    功能概述

    Arm? Cortex? - M0+ 內核

    Arm? Cortex?- M0+是一款為廣泛的嵌入式應用設計的入門級 32 Arm Cortex 處理器。它為開發人員 供了顯著的好處,包括:

    ? 結構簡單,易于學習和編程

    ? 超低功耗,節能運行

    ? 精簡的代碼密度等

    Cortex-M0+處理器是 32 位內核,面積和功耗優化高, 為 2 級流水的馮諾伊曼架構。處理器通過精簡但強 大的指令集和廣泛優化的設計,提供高端處理硬件,包含單周期乘法器,提供了 32 位架構計算機所期望的卓越 性能,比其他 8 位和 16 位微控制器具有更高的代碼密度。

    Cortex-M0+與一個嵌套的矢量中斷控制器(NVIC)緊密耦合。

    存儲器

    片內集成 SRAM。通過 bytes (8bits) 、half-word (16bits)或者 word (32bits) 的方式可訪問 SRAM。 片內集成 Flash,包含兩個不同的物理區域組成:

    ? Main flash 區域, 它包含應用程序和用戶數據

    ? Information 區域, 4KBytes,它包括以下部分:

    ? Option bytes

    ? UID bytes

    ? System memory

    對 Flash main memory 的保護包括以下幾種機制:

    ? read protection(RDP) ,防止來自外部的訪問。

    ? wrtie protection (WRP) 控制,以防止不想要的寫操作(由于程序存儲器指針 PC 的混亂) 。寫保護 的最小保護單位為4Kbytes。

    ? Option byte 寫保護,專門的解鎖設計。

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